تعمیرات تجهیزات پزشکی

تعمیرات بردهای الکترونیکی تجهیزات پزشکی

تعمیرات تجهیزات پزشکی

تعمیرات بردهای الکترونیکی تجهیزات پزشکی

خازن کوپلاژ چیست؟

خازن کوپلاژ خازنی است که اجازهٔ گذشتن سیگنال AC را از مداری به مدار دیگر می‌دهد ولی مانع عبور سیگنال DC می‌شود. در تقویت‌کننده‌های ترانزیستوری خازن‌های کوپلاژ به صورت سری بین منبع تغذیه، طبقه‌های مختلف تقویت‌کننده و بار جای می‌گیرند و مانع اعمال ولتاژ دی‌سی طبقهٔ پایین‌تر به بیس ترانسزیستور طبقهٔ بالاتر یا به بار می‌شوند. این خازن‌ها معمولا طوری در نظر گرفته می‌شوند که میزان افت ولتاژ در فرکانس سیگنال IC ناچیز باشد.

 

نحوهٔ عملکرد خازن کوپلاژ:

مقاومت خازنی (راکتانس) با فرکانس رابطهٔ‌ معکوس دارد و به صورت زیر محاسبه می‌شود:

X_C=\frac{1}{2\pi fC}

  • C: ظرفیت خازن،
  • f: فرکانس،
  • Xc: راکتانس خازن

با توجه به این رابطه مقدار مقاومت خازنی در ولتاژ دی‌سی (f=0) بسیار زیاد است و خازن مانند مدار باز عمل می‌کند. اما با افزایش فرکانس راکتانس کاهش می‌یابد و خازن رفته‌رفته به حالت اتصال‌کوتاه نزدیک می‌شود.

کاربرد خازن کوپلاژ:

 

 

 

  

 

در اغلب مدارات صوتی یا تقویت کننده های فرکانسی جهت جلوگیری از ورود dc به طبقات بعدی از خازن کوپلاژ استفاده میشود. همچنین از خازن کوپلاژ در سیستم مخابراتی PLC نیز استفاده میشود. به طوری که اتصال مستقیم وسیله کوپلاژ CD و سیستمPLC به خطوط فشار قوی عملی نیست معمولاً از یک خازن فشارقوی که خازن کوپلاژ است برای این منظور استفاده می­شود خازن کوپلاژ CC همراه با وسیله کوپلاژ CD باند فرکانسی قابل کاربرد سیستم مخابراتی PLC را تعیین می­نماید، محدوده فرکانسی مورد استفاده در سیستمهای PLC بین KHZ30 تا KHZ500 قرار داشته و ظرفیت خازن کوپلاژ حداقل فرکانس قابل استفاده را مشخص می­کند بعبارت دیگر با افزایش ظرفیت خازن کوپلاژ می­توان تبادل اطلاعات را در فرکانس­های پائین­تری انجام داد.

مقدار TYPICAL خازن کوپلاژ در حدود چند nf است. در ولتاژهای انتقال 400 و 230 کیلوولت که به تعداد کانالهای بیشتر و پهنای باند بزرگترین نیاز است باید خازن کوپلاژ با مقدار ظرفیت بیشتری نسبت به ولتاژهای فوق توزیع 132 و 63 کیلوولت در نظر گرفت.

ترمیستور چیست؟

ترمیستور چیست؟

حساسیت ترمیستورهای امروزی چنان بالاست که تغییری به اندازه یک میلیونیم کلوین را می‌توان به کمک آنها آشکار سازی و اندازه گیری کرد. این وضع عملی بودن کاربرد آنها را در دستگاههای جدید به جای پیلهای ترموالکتریک برای اندازه گیری شدت تابش خیلی ضعیف نشان می‌دهد.

 

نیم رساناهایی که به سبب ضریب مقاومت گرمایی زیادشان بکار می‌روند، به مقاومتهای حساس به دما یا ترمیستور thermistors که از عبارت temperature sensitive resistors گرفته شده ، معروف هستند. مقاومتهای حساس به دما در شاخه‌های مهندسی کاربردهای مهم و زیادی دارند:

در کنترل خودکار ، فاصله سنجی و نیز در دماسنجهای خیلی دقیق و حساس بکار برده می‌شوند.

دماسنجهای مقاومتی یا بارترها barertte دستگاهی است برای اندازه گیری چگالی شار تابشی که طرز کار آن بر پایه تغییر مقاومت الکتریکی پیل حساس نیم رسانایی در موقع گرم کردن آن استوار است)، را خیلی پیش در آزمایشگاهها بکار می‌بردند. ولی قبلا آنها را از فلز می‌ساختند که به سبب محدودیت گسترده کاربردشان ، مشکلات زیادی به بار می‌آوردند.

برای اینکه مقاومت بارتر را در مقایسه با مقاومت سیمهای رابط بالا ببرند، ناچار بودند بارتر را از سیم نازک و دراز بسازند. به علاوه تغییر مقاومت فلزات با دما خیلی کم است و از این اندازه گیری دما به کمک بارتر فلزی به اندازه گیری خیلی دقیق مقاومت نیاز داشت.

بارترهای نیم رسانایی (ترمیستورها) این معایب را ندارند. مقاومت ویژه الکتریکی آنها آنچنان بالاست که یک بارتر می‌تواند فقط چند میلیمتر طول داشته باشد. با چنین ابعاد کوچکی ، ترمیستور خیلی زود به دمای محیط بیرون می‌رسد. همین امر به آن امکان می‌دهد که دمای اشیای کوچک (مثلا برگ گیاهان یا ناحیه‌هایی روی پوست بدن) را اندازه بگیرد.

ترمیستورهای مدرن (ترمیستورهای نیم رسانا)

حساسیت ترمیستورهای امروزی چنان بالاست که تغییری به اندازه یک میلیونیم کلوین را می‌توان به کمک آنها آشکار سازی و اندازه گیری کرد. این وضع عملی بودن کاربرد آنها را در دستگاههای جدید به جای پیلهای ترموالکتریک برای اندازه گیری شدت تابش خیلی ضعیف نشان می‌دهد.

در ابتدا انرژی لازم برای آزاد شدن الکترون از حرکت گرمایی یعنی انرژی داخلی نیم رساناها ، تأمین می‌شد. ولی این انرژی را جسم می‌تواند در ضمن جذب انرژی نور به الکترون انتقال دهد. مقاومت چنین نیم رساناهایی بر اثر نور به مقدار زیادی کاهش می‌یابد. این پدیده را نور رسانش فوتو رسانش یا اثر فوتو الکتریکی ذاتی گویند.

اصطلاح ذاتی در اینجا تأکید بر این واقعیت دارد که الکترونهای آزاد شده با نور ، مانند انتشار الکترون از فلز درخشانی که به “اثر فوتوالکتریک غیر ذاتی“ معروف است، مرزهای جسم را ترک نمی‌کنند. این الکترونها در جسم باقی می‌مانند و دقیقا رسانندگی آن را تغییر می‌دهند. دستگاههایی که بر پایه این پدیده ساخته می‌شوند را در مقیاس صنعتی برای دستگاههای اعلان و خودکار بکار می‌برند (مانند دزدگیر و ...).

فقط بخش کوچکی از الکترونهای آزاد نیم رسانا در حالت آزادند و در جریان شرکت می‌کنند. اما درست این است که بگوییم همین الکترونها بطور دائم در حالت آزادند و دیگران در حالت مقید. بر عکس ، در نیم رساناها همزمان دو فرآیند رخ می‌دهد:

از یک طرف با صرف انرژی داخلی یا انرژی نورانی فرآیند آزادسازی الکترونها اتفاق می‌افتد.

از طرف دیگر ، فرآیند ربایش الکترونهای آزاد ، یعنی ترکیب مجدد آنها با بعضی از یونهای باقیمانده (یعنی ، اتمهایی که الکترونهایشان را از دست داده‌اند) مشاهده می‌شود. بطور متوسط ، هر الکترون آزاد شده فقط مدت کوتاهی (از ۳-۱۰ تا ۸-۱۰ ثانیه) آزاد می‌ماند. همواره الکترونهایی وجود دارد که پیوسته جایشان را با الکترونهای مقید عوض می‌کنند. تعادل بین الکترونهای آزاد و مقید از نوع تعادل دینامیکی است.

مبانی ترمیستور:

نیم رساناهایی که به سبب ضریب مقاومت گرمایی زیادشان بکار می‌روند، به مقاومتهای حساس به دما یا ترمیستور thermistors که از عبارت temperature sensitive resistors گرفته شده ترمیستور از مواد نیمه هادی ساخته می شود، ترمیستور از اکسید فلزاتی چون منگنز، نیکل، کبالت، مس و یا آهن همراه با سیلیکون ساخته می گردد. رنج دمای آن 50- تا 150 و نهایت 300 درجه سانتیگراد می باشد، در بیشتر مصارف مقاومت آن در دمای 25 درجه سانتیگراد محاسبه می شود. بین 100 تا 100 کیلو اهم می باشد، البته ترمیستورهایی با مقاومت اولیه پایین تر از 10اهم و بالاتر از 40مگا اهم نیز استفاده می شود.

همانطور که گفته شد مقاومتهای حساس به دما در شاخه‌های مهندسی کاربردهای مهم و زیادی دارند. ترمیستورها به دو نوع تقسیم می شوند (Negative Temperature Coefficient NTC که با افزایش دما مقاومت آن کاهش می یابد و (Positive Temperature Coefficient ( PTC که با افزایش دما مقاومت آن کاهش می یابد.

ترمیستور نوع NTC حساسیت 3- % تا 6- دارد که در مقایسه با RTD خیلی بالاتر است که باعث می شود سیگنال پاسخ بهتری نسبت به ترموکوپل و RTD داشته باشد، از جهت دیگر حساسیت پایین RTD و ترموکوپل ، آنها را انتخاب خوبی برای دماهای بیش از 260 درجه سانتیگراد کرده است و این محدودیتی برای ترمیستور است.

در سال 1833 میشل فاراده فیزیکدان و شیمی دان انگلیسی گزارشی در مورد رفتار نیمه هادی سولفید نقره داد، که این جرقه اولیه پیدایش ترمیستور بود. به خاطر محدودیتی که ترمیستور در سختی تولید و کاربرد در صنعت داشت تولید تجاری و استفاده از آن تا صد سال بعد انجام نشد و از سال 1980 استفاده از ترمیستور به صورت گسترده شروع شد.

مدار بهسازی:

برای تبدیل مقاومت ترمیستور به ولتاژ می توان از مدار پل استفاده نمود ولی به دلیل مشخصه غیر خطی ترمیستور، خطای غیر خطی مدار پل تاثیر می گذارد که در صورت استفاده از مدار پل باید این موضوع لحاظ شود.

روش دیگر استفاده از مدار تقسیم ولتاژ است.که به دلیل مقاومت زیاد ترمیستور راه حل مناسبی می باشد.

روش دیگر استفاده از مدار زیر است.


میکروکنترلر PIC12C508 که توضیح داده می شود.

روش دیگر استفاده از مدار پایین است که روشی مشابه تقسیم ولتاژ می باشد. در این روش OP. Amp با نسبت مقاومت ترمیستور به Rs ولتاژ خروجی را تولید می کند.



یک کار دیگر استفاده از مدار مجتمع AD7711 است که یک A/D می باشد.




روش دیگر استفاده از مداری با IC ، AD7705 می باشد.


سنسور های پیزوالکتریک

سنسورهای پیزوالکتریک بر پایه اصل پیزوالکتریسیته استوار هستند. به این معنا که اگر یک ماده به عنوان مثال یک سرامیک، پیزوالکتریک باشد، وقتی تحت تاثیر فشار قرار می ‌گیرد در سطح آن بار الکتریکی تولید می‌‌شود  یا وقتی در میدان الکتریکی قرار می‌‌گیرد تغییر شکل مکانیکی می ‌یابد. میزان بار الکتریکی یا تغییر شکل مکانیکی به ترکیب ماده بستگی دارد. در ساختمان این سرامیک ‌ها موادی نظیر: اکسید سرب، تیتانیا، زیرکونیا و غیره وجود دارند که بسته به نوع کاربرد این مواد با نسبت ‌های مختلف با هم مخلوط می ‌شوند. با تغییر ترکیب و ابعاد قطعات می ‌توان پیزوسرامیک ‌ها را برای کاربردهای مختلف طراحی کرد، از جمله شتاب سنج ها، مبدل های کوچک، حس گرهای خودرو، سنسورهای جریان سیالات و در بخش پزشکی در مبدل تصویرگرهای تشخیصی و مانیتورهای قلب جنین ‌، تفنگ ‌های لیزری، چاقوهای کوچک جراحی و کالبدشکافی، پاک کننده‌های دندانی، پمپ ‌های IV ‌،پمپ های قلب  و مبدل ‌های کوچک در مجاری خون در جهت ثبت تغییرات متناوب ضربان قلب  ‌امروزه تحقیقات بزرگ و پیشرفت های عظیم بر پایه محاسبات جزیی و دقیق مهندسی بنا شده است. پایه این محاسبات ، اندازه گیری های دقیقی است که می بایست انجام شود.

 در دنـیـــای امـــروز ایـــن انــدزه گـیــری هــا بــه روش‌هــای مــدرن و بــا دستگـاه هـای پیشـرفتـه مهندسی انجام می شود. اندازه گیری در حقیقت بـه مـعـنـای پروسه مشخص کردن یا پیدا کردن انــدازه، زاویـه یـا در کـل کـمـیـت اسـت. وسـایـل انــدازه‌گـیـری وسـایلـی هستنـد کـه کمیـت هـای اندازه‌گیری را به  اطلاعات آنالوگ یا دیجیتال تبدیل می کنند. یکی از این وسایل اندازه گیری سنسورهای پیزوالکتریک هستند که برای سنس کـردن تـغـیـیـرات بـسـیـار جـزئـی به کار می‌آیند. پیزوالکتریسیته توسط پیروژاک کوری در سال 1892 کشف شد و از واژه یونانی Piezin به معنی "فشار" مشتق می شود. اعمال فشار به برخی کریستال ها مانند کوارتز یا برخی سرامیک ها ، الکتریسیته تولید می کند. فشار یا تنش مکانیکی وارد شده به برخی کریستال ها باعث جابه جایی دو قطبی های ایجاد شده و پدید آمدن میدان الکتریکی می شود. آرایش یون های مثبت و منفی، تعیین کننده ایجاد یا عدم ایجاد اثر پیزوالکتریسیته است. این سنسورها کاربردهای گسترده ای از صنعت خودرو سازی تا اندازه گیری فشار خون در رگ ها در جهت ثبت تغییرات متناوب ضربان قلب دارند.

 

ساختار
همانطور که گفته شد سنسورهای پیزوالکتریک بر پایه اصل پیزوالکتریسیته استوار هستند. به این معنا که اگر یک ماده به عنوان مثال یک سرامیک، پیزوالکتریک باشد، وقتی تحت تاثیر فشار قرار می گیرد در سطح آن بار الکتریکی تولید می شود؛ یا وقتی در میدان الکتریکی قرار می‌گیرد تغییر شکل مکانیکی می یابد. این جابجایی بارهای الکتریکی را در شبکه اتمی یک کریستال پیزوالکتریک طبیعی، در پاسخ گویی به فشار را می توان در شکل 1 مشاهده می شود. دایره های بزرگ نشان دهنده  اتم های سیلیکون هستند. در حالی‌که دایره های کوچک، نشان دهنده اتم های اکسیژن هستند. کوارتز کریستالی ، هم نـوع کریستال طبیعی یا کیفیت بالا و هم نوع تغییر یافته آن، از جمله مهمترین مواد پیزو‌الکتریک مورد دسترس، حساس و پایدار هستند.
عـلاوه بـر کـریستـال های کوارتز می توان، PCB های طراحی شده با به کارگیری تکنولوژی انسانی، پلی کریستال ها و پیزو سرامیک ها را نام برد. این مواد با کاربرد میدان الکتریکی گسترده ای، تحت فشار قرار گرفته اند، تا تبدیل به مواد پیزوالکتریک شوند، یــک خــروجــی high-voltage قــوی را تــولیـد مـی کنـد. ایـن ویـژگـی بـرای استفـاده در سیستم‌های اندازه گیری کم نویز، یک ویژگی بسیار ایده آل است.
با ارزش سختی یکسان نسبت به Psi 6E15 ، که مشابه بسیاری از فلزات است، مواد پیزوالکتریک خروجی های بالا را به وسیله کرنش های کوچک کاهش می دهند. به عبارت دیگر، مواد پیزوالکتریک موادی را سنجش می کنند که ضرورتا   شکست و انکسار نداشته باشند و اغلب به حالت جامد باشند. این به این دلیل است که سنسورهای پیزوالکتریک بسیار قوی هستند و این ویژگی عالی، یک رابطه خطی با  میدان گسترده نوسان دارد. در حقیقت، وقتی  سیگنال مناسب طراحی شده به طور صحیح به هم بپیـونـدنـد، سنسـورهـای پیـزوالکتـریـک دارای یـک محـدوده نـوسـان پـویـا (برای مثال، محدوده اندازه گیری نسبت به نویز) دارند. نکته مهم نهایی درباره مواد پیزوالکتریک این است که آن ها تنها می توانند اتفاقات پویا و در حال تغییر را اندازه بگیرند. سنسورهای  پیزوالکتریک قادر به اندازه گیری حوادث استاتیک پیوسته مانند: سیستم داخلی هدایت موشک، فشار هوا و اندازه گیری وزن نیستند، در حالی‌که حوادث استاتیک دلیل اولیه خروجی هستند؛ این سیگنال به آهستگی ضعیف شده، بر اساس مواد پیزوالکتریک یا متعلق به الکترونیک زمان ثابت است. این بار ثابت مطابق با مرتبه اول فیلتر بالاگذر است و براساس خازن و مقاومت دستگاه است. این فیلتر بالا گذر در نهایت تعیین کننده فرکانس قطع پائین یا اندازه گیری سطح دستگاه می شود.

دو نمونه از مواد پیزوالکتریک

پیزوالکتریک (PZT):
‌حساسیت شارژ بالا
کوارتز:پایدار، پیزوالکتریک نشده
‌حساسیت شارژ پائین، اما حساسیت ولتاژ بالا

تئوری و مدل سازی  تئوری پایه ای که پشت پیزوالکتریسیته وجود دارد براساس دوقطبی الکتریکی است. در سطح ملکولی، ساختار مواد پیزوالکتریک به طور معمول، پیوند یونی کریستال است. در نتیجه دو قطبی ها به وسیله ی یون های مثبت و منفی که همدیگر را خنثی می‌کنند و به علت تقارن، ساختار کریستال تشکیل می شود و میدان الکتریکی مشاهده نمی شود. وقتی تنش وارد می شود، کریستال تغییر شکل می دهد، تقارن از دست رفته و شبکه دو قطبی در یک لحظه تشکیل می شود. این دو قطبی لحظه ای یک میدان الکتریکی در راستای کریستال تشکیل می دهد.
در این روش، تولید شارژ الکتریکی توسط مواد متناسب با فشار اعمال شده اگر نیروی رفت و برگشتی اعمال شود، ولتاژ AC در ترمینال دستگاه مشاهده می شود. سنسورهای نیروی الکتریک برای کاربردهای DC و استاتیک مناسب نیستند زیرا شارژ الکتریکی تولید شده، بـه علـت امپـدانـس داخلـی سنسـور و امپـدانـس ورودی تـوسـط مـدار سـیـگـنـال مناسب، بازمان تـنــزل پـیــدا مــی کـنــد.بــا ایــن حـال، آن هـا بـرای کاربردهای دینامیک و AC مناسب  هستند.
یک سنسور پیزوالکتریک به عنوان یک منبع شارژ با یک خازن موازی و مقاومت، و یا به عنوان منبـع با یک خازن سری و مقاومت، مدل شده اســــت. ایــــن مــــدل هـــا در شـکـــل 3‌ هـمـــراه بـــا عــلامـت‌هـای شـمـاتـیـک رایـج نـشـان داده شـده اســـت. شـــارژ تــولـیــد شــده بـسـتـگــی بــه ثــابــت پیـزوالکتـریـک دستگـاه دارد. ظـرفیـت خازن به وســیــلــــه  مــســــاحــــت هـمـــان عـــرض و ثـــابـــت دی‌الکتریک مواد تعیین می‌شود. همانطور که قبلا ذکر شد محاسبه مقاومت برای اتلاف شارژ استاتیک است. 
نمایش یک نیروی معمولی، فشار و سنسور شتاب در شکل 4 نشان داده شده است.  الکترود سـیـاه جایی است که شارژ بلورها در آن مکان انـبـاشـتـه مـی شـود مـدار مـیکرو  و شتاب سنج، همچنین دارای جرم است  توجه داشته باشید که آن ها تفاوت خیلی کوچکی در تنظیمات داخلی دارنـــد. در شــتـــاب ســنـــج هـــا  کــه  حــرکــت را انـدازه‌گـیـری مـی کـنند، جرم ثابت،M ""، توسط کریستال‌ها، به سادگی و با استفاده از قانون دوم نـیـوتـون قـابـل مـحـاسـبـه اسـت: F=MA. فـشـار و نیروی سنسورها تقریبا ً یکسان است و متکی بر تغییر شکل نیروی خارجی کریستال ها  است. تفاوت بزرگ این است سنسورهای فشار برای جمع کردن فشار یک دیافراگم به کار می برند، که بـه سـادگی توسط نیروی خارج از محیط وارد می‌شود.

سیگنال مناسببعد از اینکه عنصر حسگر، خروجی احتمالا مطلوب را تولید کرد، این سیگنال باید به گونه ای پردازش شود تا بتوان آن را توسط اسیلسکوپ، آنــالـیــز کـنـنــده، رکــوردر و ســایـر دستگـاه هـای بازخوان تحلیل کرد. همانطوری‌که در شکل 5 مشاهده می شود، این پردازش سیگنال می تواند به وسیله دو روش مختلف انجام شود:
1.داخلی توسط سنسور مدار میکروالکترونیک (ICP)
2.خارجی توسط سنسور داخل "جعبه سیاه (Charge Mode)
ایـن مـدارات پـردازش آنـالـوگ، بـرای تـوابـع عمـومـی مشـابهـی مـورد استفـاده قرار می‌گیرند که شامل موارد زیر است :
1.قابل تبدیل به یک امپدانس پائین، سیگنال ولتاژ مفید باشد.
2.تقویت سیگنال و تضعیف سیگنال
3.فیلترکردن
 ‌با این حال نکته قابل توجه این است که نحوه قرارگیری مدارات  در سیستم های اندازه گیری برای عملیات صحیح محاسباتی، مهم باشد.
در اینجابه بررسی سنسور ICP می پردازیم. پیشرفت های فنی گسترده این روش در سال 1967 روی داده است، که عبارتند از؛ کوچکتر شدن مدارها، کاهش قیمت اجزا و افـرایـش ظـرفیـت سیگنـال پـردازش یافته که نهایتا  منجر به ایجاد مدارهای یکپارچه مینیاتوری و مقاومت های micro hi megمی شود. حتی با این پیشرفت ها، هدف اصلی این ایده، که سادگی و سهولت استفاده آن بوده است ،پیشرفت چندانی نداشت. این سیستم از دو سیم استفاده می کند. هادی مشترک برای قدرت/ سیگنال و هادی های اضافی برای سیگنال زمین. شارژ مینیاتوری یا تقویت کننده های ولتاژکه در داخل مدار ساخته شده اند.   بستگی به نوع عنصر حسگر دارند. قدرت این قطعات معمولا  از 30-17 ولت ،2 میلی آمپر جریان ثابت می آید. گذشته از قیمت، راحتی یا ویژگی، هیچ مزیت فنی از داشتن یک منبع جریان ثابت، که به صورت خارجی یا د اخلی در یک دستگاه بازخوان است، وجود ندارد. جزئیات شماتیک سیستم در شکل 6‌ نشان داده شده است.
ویژگی این سیستم شامل: (1) میکروالکترونیک هایی که  برای تولید امپدانس کم ساخته شده است. (2) تنها نیاز ساده به یک تصحیح کننده برای استفاده مداوم جریان ثابت سیگنال مناسب، که منجر به کاهش هزینه درهر کانال می شود.(3) قادر بودن سیگنال برای انتقال از طریق کابل های بلند،در میان محیط های خشن ،بدون از دست دادن کیفیت سیگنال. (4)دمای عملیاتی مدار که معمولا محدود بهc121  است. (5) کار کردن به وسیله دو هادی هم محور یا یک جفت سیم پیچ خورده  و (6) ویژگی های سنسور (حساسیت و محدودیت فرکانس) به وسیله سنسور ثابت شده و مستقل از ولتاژ تغذیه می شوند.
سنسـورهـای حـالـت شـارژ بـا استفـاده از همـان سـاختـار حسگـر مکانیکی به عنوان سنسورهای سنسورهای ICP عمل می کند. با این حال پردازش الکترونیکی سیگنال در خارج قرار داده شده است. این سیستم های شارژ اغلب به سختی به طور صحیح عمل می‌کنند و به صورت سنتی پرهزینه است. که در نتیجه به صورت تقویت کننده شارژ خارجی پیچیده است (به صورت جایگزین پایین آوردن هزینه ها  در خط دستگاه  رایج تر است.) امروزه سیستم های حالت شارژ معمولا فقط در محیط هایی استفاده می‌شوند که دما، استفاده از سنسورها با الکترونیک ساخته شده در داخل را منع می کند. آن‌طور که یک نفر ممکن است انتطار داشته باشد، سیستم های حالت شارژ مزایا و معایب مختلفی دارند که عبارتند از :
1.خروجی های سنسور یک سیگنال امپدانس بالا است که برای آنالیز کردن نیازبه پیش- تصحیح سازی دارد.
2.نیـاز بـه اصـلاح کننـده سیگنـال خـارجـی (آزمـایشگـاه تقـویـت کننـده شـارژ، منبع هدایت‌کننده خطی و غیره...)
3.سیگنال امپدانس بالا دارای این پتانسیل  است  که به وسیله حرکت کابل ها ، تداخل فرکانس رادیویی و سیگنال های الکترو مغناطیس، آلودگی را به محیط منتقل می کند. 
4.تــا زمــانــی کــه قـسـمــت هـای الکتـرونیکـی بـه‌صـورت خـارجـی هـسـتـند، مدل های معین،  توانایی عمل کردن در دمای 1000F را دارند. 
5.نـیـاز بـه کـابل کشی مخصوص با نویز کم دارند.
6.ویژگی های سنسور ( حساسیت ومحدوده فـرکـانـس) مـتـغـیـر هـسـتـنـد و مـی تـوانـنـد وسیله تـعـویـض قـطـعـات در تـصـحـیـح کـنـنده سیگنال خارجی،  محدود شود.

مناسب سازی سیگنال
ولـتاژهای معمولی خروجی از سنسورهای پیزوالکتریک می تواند از میکرو ولت ها تا صدها ولت باشد و مدار سیگنال نیازمند تفاوت قابل ملاحظه ای باشد. مواردی که باید در نظر گرفته شوند عبارتند از:
‌فرکانس عملیاتی
‌دامنه سیگنال
‌امپدانس ورودی
‌نحوه عملکرد

فرایند تولید
فـرایـنـد سـاخـت پـیـزوسـرامـیـک هـا شامل 16 مرحله است که با وزن کردن، مخلوط کردن و آسـیـاب کـردن مـوادی مـانـنـد زیـرکـونـیا، اکسید سرب، تیتانیا، نیوبیا و اکسید استرانسیم و غیره شــروع مــی شـونـد. سـپـس مـواد مـخـلـوط شـده کلسینه شده و واکنش انجام می دهند تا ترکیب تیتانات-زیرکونات سرب تشکیل شود. ترکیب تیتانات-زیرکونات سرب تشکیل شده که دارای مقداری رطوبت است به اندازه ذرات خیلی ریز آسیاب می‌شود. سپس چسب‌ها و روان‌سازها افـــزوده مـــی‌شـــونــد و مــاده بــه دســت آمــده در اسپـریـدرایـر خشـک می‌شود تا یک پودر آماده برای تراکم حاصل شود. 
بعـد از آمـاده سـازی مـواد اولیه، فرایندی که برای شکل دادن سرامیک به کار گرفته می شود، استفاده از پرس خشک یا ایزواستاتیک با فشار اعمالی بین 6 تا 100 تن است. اجزا شکل داده شده در دمای 1300 درجه فارنهایت در شرایط کنترل شـده اتمسفـری پخـت بیسکـویـت مـی شـوند تا چسـب هـا و روان‌کننـده‌هـای لازم بـرای عمـل شکل دهی در این مرحله سوخته و خارج شود. قـطـعـات بـیـسـکـویـت در بـوتـه های مخصوص "آلومینا بالا" قرار داده شده و برای پخت در دمای بـالا در داخـل کـوره قرار داده می شوند. کوره الکتریکی تا حدود دمای 2300 درجه فانهایت گرم می‌شود و به مدت سه ساعت در این دما نگه داشته می شود (قطعات سرامیکی برای کنترل تـبـخـیـر احتمالی اکسید سرب در خلال فرایند پخت در دمای بالا در بوته های آلومینا بالا قرار داده می شوند.)
سپس سرامیک پخته شده با دقت زیادی به اندازه های معین ماشین کاری می شود. بعد از مـرحـلـه انـدازه‌بـنـدی، قـطعات سرامیک متالیزه می‌شود؛ یعنی یک پوشش فلزی روی سطح آن هـا نـشـانـده مـی شود. این کار به کمک تکنیک  "silk  screening" انجام می شود و از الکترودهای نـقـره، طـلا، نیکل یا پلاتینیوم-پالادیوم استفاده مـی‌شـود. الـکـتـرودهـای مـتالیزه شده روی یک شبکه توری شکل که از سیم های فلزی نسوز تشکیل شده است قرار گرفته و به داخل کوره حمل می شوند و در دمایی در حدود 700 درجه سانتی‌گراد پخته می شوند. 
بعد از این مرحله، نوبت به عمل قطبی کردن قـطـعه های سرامیکی می رسد. در عمل قطبی کردن ولتاژ جریان مستقیم )DC(به سرامیکی که در یک روغن دیا الکتریک گرم شده و مقاوم قرار دارد، اعمال می شود تا دوقطبی های آن در یک سـمـت جـهـت گـیـری کـنـند. قطعات سرامیکی قـطبی شده اکنون پیزوالکتریک هستند. بعد از قـطـبـی کـردن، نـوبـت بـه کـنـتـرل کـیـفی خواص می‌رسد. قطعات جهت تضمین و تامین کردن خواص الکتریکی متناسب با نوع کاربردشان، آزمـایـش و بـررسـی مـی شوند. قطعات آزموده شده آماده بسته بندی و ارسال و استفاده هستند. 

‌کاربردهای سنسورهای پیزو الکتریک در پزشکی
در بــخـــش مـــراقــبــت هــای پــزشـکــی نـیــز از پــیـــزوســرامـیــک‌هــا در مـبــدل تـصــویــرگــرهــای تـشـخـیـصـی و مـانـیـتـورهای  fetal heartاستفاده می‌شود که هزینه پایین و ایمنی بالا نشان کارایی این فراورده است. کاربرد‌های دیگر، شامل تفنگ های لیزری برای درمان آب مروارید چشم، چاقوهای کوچک جراحی و کـالبـدشکـافـی، پـاک کننـده‌هـای دنـدانـی، پمـپ هـای  IV و پمپ های قلب می شود. مبدل‌های کوچک که در مجاری خون جهت ثبت تغییرات متناوب ضربان قلب بیمار قـرار داده می شوند نیز از سنسورهای پیزوالکتریک ساخته می شوند. یکی دیگر از کـاربـردهـای مهـم ایـن سنسـورهـا در تـولیـد امـواج فـراصـوت است . انتشار امواج در بافت‌های بدن به صورت امواج طولی است. از این رو در پزشکی با اینگونه امواج سر و کار داریم که یکی از این روش های تولید امواج فراصوت ، روش پیزوالکتریسیته است. اثر پیزو الکتریسیته فقط در بلورهایی که دارای تقارن مرکزی نیستند، وجود دارد. بلور کوارتز از این دسته مواد است و اولین ماده‌ای بود که برای ایجاد امواج فراصوت از آن استفـاده مـی‌شـد که اکنون هم استفاده می‌شود.اگر چه مواد متبلور طبیعی که دارای خـاصیـت پیزو الکتریسیته باشند، فراوان هستند. ولی در کاربرد امواج فراصوت در پزشکی از کریستال هایی استفاده می‌شود که سرامیکی بوده و به طور مصنوعی تهیه مـی‌شـونـد. از نمـونـه ایـن نـوع کریستال ها ، مخلوطی از زیرکونیت و تیتانیت سرب  Lead titanat( ِ )Lead zirconat است که به شدت دارای خاصیت پیزوالکتریسیته هستند. به این مواد که واسطه‌ای برای تبدیل انرژی الکتریکی به انرژی مکانیکی و بالعکس هستند، مبدل یا تراسدیوسر  )transuscer(می‌گویند. یک ترانسدیوسر اولتراسونیک به کار می‌رود که علامت الکتریکی را به انرژی فراصوت تبدیل کند که به داخل بافت بدن نفوذ و انرژی فراصوت انعکاس یافته را به علامت الکتریکی تبدیل کند

منابع

[1]  Petrin Drumea, Marian Blejan, Ioana Ilie, "DIGITAL INTERFRACE FOR PIEZOELECTIC FORCE SENSOR"  International conference, 6th workshop on Europen and Industrial Collaboration,  Bucharest, 25-26 september 2008
[2] Jeffry Dosch, Bill Hynd, "PCB PIEZOTRONIC journal" Depew NY, IMAC XXV February 19-22, 2007
[3] James Karki, " TEXAS Instrument journal , application report- SLOA033A -SEPTEMBER 2000"
[4] Wikkipedia

منبع نور سرد چیست

 منبع نور سرد :به طور کل به دستگاههایی که نور لازم را در هنگام استفاده از اندوسکوپهای انعطاف پذیر ( )و یا سخت ( ) برای دیدن بخشهای مختلف داخل بدن فراهم می کنند . و  در هنگام معاینه و جراحی با اندوسکوپها حداقل گرما را به بافت منتقل می کنند. 

 

 

جنین یاب ( سونیکید یا FHR )

 

 

تعریف : دستگاهی است جهت تشخیص صدای قلب جنین و محاسبه تعداد ضربان قلب آن

اجزاء تشکیل دهنده :

1-     پروب :وظیفه ارسال یک موج اولتراسوند به داخل رحم مادر و دریافت موج بازگشت را به عهده دارد

2-     نمایشگر تعداد ضربان قلب نوزاد : تعدار ضربان قلب نوزاد را که توسط دستگاه محاسبه شده است  نمایش می دهد .

3-     سیم برق : تامین نیروی الکتریکی لازم دستگاه از برق شهر را به عهده دارد

4-     باطری : هرکجا که امکان استفتده از برق شهر برای تغذیه دستگاه وجود ندارد نیروی الکتریکی دستگاه را تامین می نماید

5-     فیوز : جهت حفاظت الکتریکی دستگاه پیش بینی شده است .

6-     کلید اصلی : روشن و خاموش شدن دستگاه را به عهده دارد

7-     نمایشگر میزان شارژ باطری : میزان نیروی الکتریکی ذخیره شده در باطری دستگاه را نمایش می دهد .

8-     رکوردر صدای قلب نوزاد : صدای قلب جنین را ذخیره می نماید تا بتوان در مراحل بعدی از آن استفاده نمود .

9-     محل اتصال پروب : از این قسمت پروب به دستگاه وصل می شود

10- محل اتصال گوشی : جهت اتصال یک هدفون به دستگاه به کار می رود  

نحوه عملکرد دستگاه : در این دستگاهها مبدل فرستنده به یک اسیلاتور وصل می‌شوند و به طور پیوسته امواج ماورا صوت را به طرف جنین مورد نظر می‌فرستند این امواج پس از برخورد با قلب جنین  و برگشتن (back – scatter) ،  از طریق مبدل گیرنده که در همان پروپ قرار دارد گرفته شده و به سیگنال الکتریکی تبدیل می‌شوند. فرکانس موج برگشت همان فرکانس موج ابش است اما حرکت قلب جنین  تغییر می‌کند که متناسب با سرعت ضربان قلب می‌باشد  

 انتخاب فرکانس: 

 انتخاب فرکانس بهینه برای سیستم با توجه به دو موضوع انجام می‌شود

1- برای نفوذ خوب و بد و بدون جذب زیاد، یک فرکانس کم بهترین انتخاب است زیرا تضعیف بافتها به طور غیر خطی با افزایش فرکانس زیاد می‌شوند

2- برای افزایش توان برگشتی حاصل از مجموعه و همچنین دقت بالاتر یک فرکانس زیاد بهتر است زیرا هر سلول با مقدار بیشتری از سیگنال‌های ارسالی برخورد می‌کند   

مشکلات دستگاه

۳- یکی از رایج ترین اشکالات موجود در سونیکید ها خرابی پروب می باشد . این خرابی گاها به دلیل قطع سیم در ابتدا و یا انتهای آن جایی که سیم به فیش پروب و نیز جایی که به قسمت اصلی پروب متصل می شود اتفاق می افتد که با قطع نمودن سیم و لحیم کاری مجدد مشکل حل می شود . گاها کریستالهای پروب بدلیل ضربه صدمه می خورند که در این حالت باید کل پروب تعویض گردد . عموما در این حالت کاربران از صدای ضعیف دستگاه گله می کنند .

استفاده از RF در جوان سازی پوست

مقدمه  

 

با افزایش طول عمر انسان ها دراثر رعایت بهداشت عمومی و فردی، پیش گیری و درمان پیری پوست صورت برای بعضی از افراد امر مهمی است. چین و چروک، مهم ترین نشانه پیری پوست است و به همین علت، مداخلات درمانی برای کاهش آن، موجب چهره جوان ترمی شود که به آن "جوان سازی پوست" می گویند.  

 

تقاضای درمان چین و چروک صورت رو به افزایش است.1 سالیان اخیر رادیوفرکانسی یک و دو قطبی به عنوان درمان انتخابی چین وچروک معرفی شده است. مطالعات، تغییرهای الیاف کلاژن پوست را درزمینه بهبود و ترمیم جنس پوست تحت درمان با رادیوفرکانسی، نشان داده اند هر چند می توانند خطرها و عوارض جانبی هم داشته باشد. 

 

و در حال حاضر روش های متعددی برای درمان چین و چروک پیشنهاد می شود. در رادیوفرکانسی (Radiofrequency [RF]) به عنوان نوعی درم ابریژن که از طریق ایجاد حرارت در درم سبب نتیجه دل خواه می شود6 حرارت مناسب به بافت‌های پیوندی عمیق درم می رسد در حالی که این حرارت در اپیدرم پراکنده و کم بوده و امکان ترمیم سریع اپیدرم وجود دارد. در انواع پیش رفته، جریان متناوب گرما به درم می رسد و در حال حاضر، سیستم های متعددی طراحی شده و برای کاربرد پزشکی در دسترس است.  

 راهبرد اولیه استفاده از فرکانس بالا با حداکثر اثر اغلب با عوارض جانبی همراه می شد، ازاین روی بعدها انواع کم انرژی با اثر بالا معرفی شدند که احتمال عوارض جانبی آن ها به حداقل رسید. با افزایش دانش، امکان جوان سازی پوست با روش‌های مناسب بدون خطرکه به خصوصیات بیمار هم بستگی داشت فراهم آمد که آثارزیبایی آن نیز مورد پذیرش بیماران قرار گرفت و سازمان غذا و داروی امریکا هم روش جوانسازی پوست از طریق اشعه فرکانسی را مورد تائید قرار داده است. 

 

تفاوت رادیوفرکانسی با دستگاه های لیزری مخصوص جوان‌سازی پوست این است که آن را بدون محدودیت در همه متقاضیان با انواع رنگ های پوست اعم از تیره یا سفید می توان انجام داد و نتیجه جوان سازی آن طولانی است و بسته به تشخیص پزشک درمان کننده و نیازپوست می توان اشعه یک یا دو قطبی را درعمق‌های مختلف پوست تاباند. 

 

 روش اجرا این مطالعه، روی 48 بیمار متقاضی جوان سازی در دو مرکز لیزر در تهران با اشعه رادیوفرکانسی صورت گرفت. اطلاعات ضروری در مورد چگونگی تاثیر، عوارض احتمالی، حداقل دفعاتی که باید بیمار تحت درمان قرارگیرد و فواصل بین جلسات به بیمار توضیح داده شد. بیمارانی که اخیراً سابقه درمان جوان‌سازی پوست صورت، مصرف بعضی داروها و بعضی بیماری ها را داشتند (جدول 1) از مطالعه حذف شدند. 

 

 جدول 1. کنتراندیکاسیون درمان رادیوفرکانسی 9و10    

1- درم ابریژن، پیلینگ شیمیائی یا لیزر Resurfacing در یک سال اخیر 

 2 - میکرودرم ابریژن در سه ماهه اخیر 

 3- تزریق چربی در 18 ماهه اخیر 

 4- درمان با فیلرهای کلاژن، بوتولینوم توکسین یا رتینوئید خوراکی در 6 ماهه اخیر 

 5-درمان با رتینوئیدهای موضعی در 2 هفته اخیر 

 6- درمان با استروئید خوراکی در 2 ماهه اخیر 

 7 - درمان با رادیوفرکانسی در یک سال اخیر 

 8- سابقه بیماری های فتوسنسیتیویتی، بیماری های کلاژن - واسکولر، دیابت، نارسائی قلب  و سابقه سرطان پوست 

 9- عفونت موضعی فعال یا عفونت سیستمیک   

10 - مصرف داروهای ایمونوسوپرسیو  

11- حاملگی و شیردهی 

 12- آتروفی پوست صورت به دلایل مختلف مانند درماتیت مزمن ناشی از رادیوتراپی، تصادفات و غیره 

 13 - سابقه تب خال عود کننده با تجویز آنتی ویرال خوراکی به عنوان پیش گیری  

 

میزان رضایت بیماران، عوارض جانبی احتمالی و عواملی که بر میزان تاثیر دخیل بودند مانند تعداد جلسات درمانی و فواصل درمانی، مورد بررسی قرار گرفتند. پارامترهای درمانی دستگاه براساس احساس سوبژکتیو بیمار مانند سوزش، درد و احساس گرما تنظیم شد. 

 

 

 48 بیمار با سنین بین 30 تا 56 سال و تیپ پوستی III و IV وارد مطالعه شدند. بیماران 5-2 جلسه درمانی RF با فرکانس 8-2 هرتز و Pulse duration 2-1 ثانیه دریافت کردند. عوارض مهم نیز شامل اریتم، درد و احساس سوزش موقع درمان، ثبت شد. 

 

 به بیماران توصیه شد که فاصله بین جلسات درمانی هر 2 هفته یک بار باشد، هر چند در بعضی بیماران، فواصل بین جلسات طولانی‌تر شد (حداکثر تا 5 هفته). قبل از شروع جلسه اول درمان، بیماران از نظر میزان چین و چروک در سه رده خفیف، متوسط و شدید طبقه بندی شدند و میانگین بهبودی از نظر الاستوز بعد از 6 ماه ارزیابی شد. 

 

 از تمامی بیماران، قبل از شروع جلسه اول درمانی و در پایان آخرین جلسه درمانی در شرایط مساوی عکس گرفته شد. عکس‌های قبل و بعد از درمان توسط یک همکار که در جریان وضعیت بیماران و درمان آن ها نبود و نمی دانست که کدام عکس مربوط به قبل و کدام به بعد از جلسات درمانی است، مورد ارزیابی قرارگرفت. اگر عکس به تر، مربوط به بعد از جلسات درمانی بود اثر رادیوفرکانسی برای درمان چین و چروک آن بیمار مثبت ثبت شد. قبل از شروع هر جلسه درمانی نظر بیمار در باره اثر جلسه یا جلسات قبلی درمان و هم چنین عوارض جانبی احتمالی پرسیده می شد. اطلاعات جمع آوری شده با استفاده از نرم افزارSPSS ویرایش 15و آزمون مربع کای (یا دقیق فیشر) و t در سطح معنی داری 05/0 > P تحلیل شد. 

 

 

 یافته‌ها 31 

 

 بیمار از 48 بیمار درمان‌شده از نتیجه جلسات درمانی رضایت داشتند و مقایسه عکس‌های قبل و بعد جلسات درمانی نشان داد 26 بیمار(54%) از نظر چین‌وچروک به‌تر شده‌اند. بین دوگروه پاسخ‌دهنده به درمان و گروه بی‌پاسخ، در تعداد جلسات درمان، رعایت فواصل، سن بیمار و شدت چین‌وچروک اختلاف آماری معنی‌دار (05/0P<) دیده شد.  

 

تاثیر یا عدم تاثیر اشعه رادیوفرکانسی در درمان چین و چروک و عوامل مرتبط با آن  

  

 

نتیجه درمان 48 نفر تعداد دفعات درمانی بیش از 4 جلسه  فواصل منظم جلسات درمانی (2 هفته )سن بیماران بالای 45 سال  چین و چروک شدید
موثر (26 نفر) 100% (26 نفر) 4/88 % (23 نفر) 2/69 % (18 نفر)  2/69 % (18 نفر)
غیر موثر (22 نفر) 9% (2 نفر)  1۸/۱ % (4 نفر) 1۸/۱ % (4 نفر)2۷/۲ % (6 نفر)
 

عوارض جانبی ابراز شده توسط بیماران درد و اریتم گذرا بود و در تمامی آن ها گزارش شد. علاوه بر درد و اریتم که با شدت و ضعف در همه ی بیماران وجود داشت عوارض دیگر، شامل ادم 14.5 %(7 نفر)، هیپرپیگمانتاسیون 10 %(5 نفر)، تاول 2 %(1 نفر) و پورپورا 2%(1 نفر) بود.در 4 %(2 نفر) 

 

 بیماران ادم پایدار دیده شد که با مصرف کورتیکوستروئید سیستمیک بهبودی حاصل شد.12و13  

 

برای بعضی بیماران کم طاقت از جلسه دوم قبل از شروع درمان، از قرص های مسکن یا آرام بخش و برای تعداد معدودی، از کرم لیدوکائین استفاده شد،4و9 هرچند کمپانی سازنده دستگاه، استفاده از بی حسی موضعی را توصیه نکرده است. 

 

 بحث 

 

 در سال 2002 سازمان غذا و دارو امریکا (FDA) و سپس در سال 2003 کشور کانادا،4 کاربرد اشعه رادیوفرکانسی را در زمینه زیبایی پوست خصوصاً درمان چین و چروک اطراف چشم تایید کردند وبه رغم گزارش های معدودی ازاسکار پوستی، بی خطری این روش، مورد پذیرش قرار گرفت.15 سرانجام در سال 2004 رادیوفرکانسی برای درمان تمامی صورت و در سال 2007 برای پلک های چشم نیز به تایید FDA رسید. در سال 2006 رادیوفرکانسی برای درمان پوست تنه و اندام ها در کانادا تایید شد. 

 

 در این روش جریان الکتریسیته از طریق الکترودها به پوست می‌رسد و برای پیش گیری از سوختگی، از ژل مخصوص خنک کننده استفاده می شود. در نتیجه، گرما در عمق 6-5 میلی متری پوست سبب Denaturation می شود.16 این روش درمانی موجب بالارفتن درجه حرارت بافت پیوندی درم تا 75-65 درجه سانتیگراد می شود در حالی که در همین حال، حرارت اپیدرم، 45-34 درجه سانتی گراد است.7و17 استفاده از ژل خنک کننده قبل ازدرمان، در زمان درمان و بعداز رادیوفرکانسی، از سوختگی سطح اپیدرم جلوگیری می‌کند.18و19 لذا جریان بالای الکتریسیته بدون صدمه از اپیدرم عبور می‌کند. هم چنین کاربر آموزش دیده با حرکت مناسب دست ها تمرکز حرارت در منطقه ای از پوست را به موقع تغییر می دهد. میزان اثر رادیوفرکانسی، با ضخامت بافت چربی زیرین، اندازه و دانسیته بافت کلاژن و ساختمان ضمایم پوست، رابطه دارد هر چند ضخامت پوست هم دارای نقش است.20 در عمق درم گرما به طور یک نواخت به بافت چربی می‌رسد، در حقیقت یک حرارت انتخابی در جدار کلاژن ها به علت مقاومت جبرانی بافت چربی اتفاق می افتد در نتیجه سبب شکستگی و صدمه مکانیکی الیاف کلاژن می‌شود.8و12و18و21 خرد شدن الیاف کلاژن، بدواً به دلیل از بین رفتن باند اکسیژن آن ها است و در میکروسکوپ الکترونی ضخیم شدن الیاف کلاژن هم مشاهده می شود.   

 

کاربرد 144-85 ژول برهر سانتی متر مربع پوست به ترین نتیجه بالینی را در پیشانی، گونه ها، اطراف چشم و هم چنین پایین چانه و جلوی گردن دارد.2و4و15و23 نیمی از بیماران درمان شده بعد از یک جلسه درمانی بیش از 50 % بهبودی داشتند.18 در 5 جلسه درمانی با انرژی کم (83 ژول بر سانتی متر مربع) و پالس 556، بهبودی 84 تا 92% گزارش شد.13 و 22 درچین بینی لبی Nasolabial)) با انرژی 130 ژول بر سانتی متر مربع بهبودی 40-35 % و در زیر چانه و جلوگردن با 110 ژول بر سانتی متر مربع بهبودی 35-30 % گزارش شد. 4 اخیراً اپلیکاتورهای 25/0، 1، 5/1 و 3 سانتی متر مربعی وارد بازار شده است. انتظار می رود دو سوم بیماران متقاضی زیبایی که تحت درمان با RF قرار می گیرند بهبودی نشان دهند.9 کلاژن‌های جدید و افزایش یافته از نوع کلاژن 1 هستند که در ترمیم زخم دیده می شود. 4 ماه بعد از درمان با RF در مطالعه بافت شناسی در تعداد الیاف کلاژن افزایش مشاهده می شود.24 مشاهده آثاردرمانی، حداقل تا بیش از یک سال بعد درمان گزارش شده است.2و4و7و15و25 بالاخره این که کاربرد رادیوفرکانسی، یک روش درمانی ملایم برای به تر شدن پوست از نظر تعداد و عمق چروک ها در مقایسه با روش های تهاجمی دیگر است. این روش برای درمان چروک های خفیف، متوسط و شدید یا برای عود چروک ها بعد از جراحی لیفتینگ، توصیه می شود.9 انتظار می رود لیفتینگ ابروها به میزان 4-1 میلی متر بعد از یک جلسه درمانی RF، اتفاق بیفتد.7و9و15و23 مقایسه عکس های قبل و بعد از درمان بیماران تا 83% کاهش واضح در چروک ها را نشان داده است. 

 

مطالعه فوق که روی 48 بیمار متقاضی جوان سازی پوست صورت به روش درمان با اشعه رادیوفرکانسی صورت گرفت، نشان داد که در بیش از 50 درصد آن ها چین و چروک به تر شده است. حداقل 4 جلسه درمانی لازم است تا نتیجه درمانی، مطلوب باشد و برای تاثیر مثبت باید نظم فواصل جلسات درمانی 2 هفته یک بار تعیین شود. نکته قابل توجه این که، هر چه سن بیماران بالاتر و شدت چین و چروک بیش تر بود رضایت بیمار و تاثیر درمانی هم مشهودتر بود. افرادی که با فواصل منظم توصیه شده هر 2 هفته یک بار مراجعه نکرده بودند میزان نتایج مطلوب درمانی کم تر بود. هم چنین، از این که بیماران مسن تر پاسخ درمانی به ترداده بودند موجب تعجب شد و دلیل آن هم به دست نیامد. 

 

 فایده استفاده از RF دو قطبی در مقایسه با یک قطبی، نیاز کم تربه انرژی درمانی است که با تاثیر مساوی درمانی نسبت به یک قطبی عوارض جانبی کم تر خصوصا" درد دارد، هر چند عوارض جانبی در هر دو دیده می شود بررسی عوارض جانبی نشان داد، درد فقط درزمان اشعه درمانی، و اریتم گذرا، در همه بیماران وجود دارد. در بررسی مقالات، واکنش کهیری، اولسر، هماتوم، ندول های تحت جلدی گزارش شده است که در بیماران مطالعه حاضردیده نشد.4و12و13 عمده ترین عارضه جانبی RF احساس ناخوشایند به هنگام درمان است که این احساس درصورت استفاده نکردن از بی حسی موضعی و کاربرد انرژی بالا، بسیار بالا است.7و14  

 

در این مطالعه هم چنین، در بعضی بیماران، در پوست نواحی درمان شده یک دپرسیون درمال مشاهده شد. که توسط بیماران به عنوان عارضه جانبی ابراز نشد. بعضی از آن ها از سفت شدن پوست نواحی درمان شده با اشعه رادیوفرکانسی خصوصاً در نیمه تحتانی صورت و جلو گردن رضایت داشتند. با تایید اشعه رادیوفرکانسی یک و دو قطبی برای درمان جوان‌سازی پوست توسط مراجع بهداشتی بین المللی معتبر، پزشکان متخصص پوست برای درمان متقاضیان جوانسازی پوست امکان بیش تری پیدا کردند. مطالعات مختلف نشان داده است که اشعه رادیو فرکانسی -از نظر کیفیت و کمیت- در بهبود چین و چروک های پوست و حتی لیفتینگ ابروها از طریق تولید الیاف کلاژن جدید، موثر است.24  

 

اگر رادیوفرکانسی در انرژی های بالا استفاده شود خطر عوارض جانبی افزایش می یابد. اگر دستگاه اشکالاتی داشته باشد، انتخاب بیمار مناسب نباشد و مراقبت های بعد درمان جدی گرفته نشود، خطر عوارض جانبی می تواند افزایش یابد.26 استفاده نامناسب از پارامترهای دستگاه به عنوان مهم ترین شکست درمانی و ایجاد عوارض جانبی گزارش شده است.9و11 بنا براین استفاده از چنین دستگاه هایی نیاز به دانش و مهارت پزشک دارد که با آموزش تامین می شود. 

 

 از آن جا که اشعه رادیوفرکانسی در تمام قسمت های پوست بدن کاربرد دارد، اما استفاده در صورت به منظور زیبایی هم از نظر تاثیر و هم عارضه جانبی اهمیت بیش تری دارد. به کنتراندیکاسیون درمان باید دقت کافی شود. تمامی بیماران باید از نحوه ی تاثیر اشعه و عوارض جانبی احتمالی مطلع باشند و قبل از شروع درمان رضایت نامه کتبی امضا کنند.  

 

منبع :دکتر حسین طباطبایی-تهران، خیابان طالقانی، شماره 415، مرکز آموزش وپژوهش بیماری‌های پوست و جذام پست الکترونیک: babakouhi@farabi.tums.ac.ir

تعمیرات منبع نور سرد Olympus

 تعمیرات تخصصی منبع نور سرد  Olympus

  

 

 

 Olympus CLV-U20 Light Source

  

Olympus CLV-U40 Light Source

  

 

 

تعمیرات انواع ویدئو پروسسور OLYMPUS

  تعمیرات تخصصی انواع  ویدئو  پروسسور  OLYMPUS  

 

 

 

 

OLYMPUS CV-100 VIDEOPROCESSOR

 

 

  

 

 OLYMPUS CV-140 VIDEO PROCESSOR

 

 

 

 

 

   (Olympus CV-200 Evis Video System Center (Video Processor

 

 

  

 

 

 Olympus CV-240 EVIS video processor